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产品简介
SY-9406电子表面活性剂专门设计的一种添加剂，用于改善应用于半导体、平板显示器和太阳能电池板应用中缓冲氢氟酸 (BHF)或缓冲氧化物蚀刻(BOE)溶液的润湿性。SY-9406表面活性剂是一种在水中具有20%活性物质的阴离子氟化学表面活性剂。当用于BOE或BHF溶液时，SY-9406显着降低了表面张力并改善了溶液的润湿性，从而可以改善BOE或BHF溶液的蚀刻均匀性，而对蚀刻速率几乎没有影响。与半导体清洁过程相一致，SY-9406具有低金属含量(通常小于1 ppm的特定金属)，并且溶液可以过滤而不影响表面活性。SY-9406对晶圆表面的吸附低，可以通过在蚀刻过程之后使用烘烤步骤来实现去除。
主要特性
改善蚀刻溶液的润湿性
对蚀刻速率几乎没有影响
可在在大范围BOE / BHF混合比例下的溶解；
起效浓度低；
低金属含量；
可过滤；
低表面吸附；
表面活性可以用加热方法去除；
低泡；
应用
清洗或蚀刻在制造半导体，平板显示器和太阳能电池板制程中的硅，石英或玻璃表面；
用于金属蚀刻溶液，包括磷酸/乙酸/硝酸(“PAN蚀刻”)混合物，以及其他含水微电子工艺化学品，包括低pH值溶液。
组分
外观 | 清亮液体 |
氟改性丙烯酸磺酸 | 25% |
氮甲基吡咯烷酮NMP | 75% |
比重 | 1.18 g/L |
离子类型 | 阴离子 |
pH | 4.5 |
性能表现
在不同溶液中的表面张力dyne/cm
0ppm | 100ppm | 200ppm | 500ppm | 1000ppm | 2000ppm | |
水 | 70 | 40 | 30 | 23 | 22 | 20 |
10%KOH | 77 | 38 | 29 | 24 | 23 | 20 |
50% H2SO4 | 67 | 39 | 28 | 25 | 22 | 20 |
40%HNO3 | 54 | 39 | 29 | 25 | 23 | 20 |
18.5M HCl | 63 | 36 | 29 | 26 | 23 | 21 |
85% H3PO4 | 78 | 38 | 28 | 26 | 22 | 22 |
1:50 NH4/H2O | 73 | 37 | 29 | 25 | 23 | 21 |
100:1 氢氟酸 | 72 | 36 | 32 | 24 | 22 | 22 |
7:1 缓冲氢氟酸A | 70 | 36 | 31 | 25 | 21 | 21 |
500:1缓冲氢氟酸B | 56 | 38 | 29 | 25 | 22 | 22 |
A – 7份氟化铵（40%）比1份氢氟酸(49%) 体积比
B – 500份氟化铵（40%）比1份氢氟酸(49%) 体积比
* 表面活性剂的浓度是基于有效份含量。
* 表面张力测试依据ASTM D1331的Wilhelmy片法。
金属蚀刻液中的表面张力 dyne/cm
含量 | 0ppm | 50ppm | 100ppm | 200ppm | 500ppm |
蚀刻液 1* | ~70 | 26 | 25 | 24 | 24 |
蚀刻液 2* | ~65 | 28 | 24 | 24 | 23 |
** 金属蚀刻液1和2在于不同比例的磷酸，硝酸和冰醋酸，主要用于铝蚀刻
产品安全和处置
SY-9406表面活性剂用于半导体晶圆厂和制造太阳能电池板和平板显示器。建议的处置方法是在能够处理卤化材料的设施中进行高温焚烧。必须防止表面活性剂SY-9406释放到环境中。预防包括但不限于处理含有表面活性剂的含水废物流。有关其他产品安全和操作信息，请在使用本产品前阅读产品标签和材料安全数据表。
